irfp250场效应管参数

场效应MOS管IRFP250A参数

PD最大耗散功率：204W ID最大漏源电流：32A V(BR)DSS漏源击穿电压：200V RDS(ON)Ω内阻：0.085Ω VRDS(ON)ld通态电流：16A VRDS(ON)栅极电压：10V VGS(th)V开启电压：2~4V VGS(th)ld(μA)开启电流：250μAIRFP250A 是一款常用的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），具有广泛的应用场景和一系列特点。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。