55n10场效应管参数

55n10场效应管参数 

55N10场效应管的主要参数如下：

1. 极性：NPN

2. Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V

3. Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V

4. Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：55A

5. Power Dissipation 功率损耗Pd：50W

6. Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=10V：Typ 15mΩ Max 21mΩ

7. Junction and Storage Temperature Range 温度范围：- 55~+150℃

55N10场效应管主要有三种封装：TO-220、TO-220F和TO-252。它是一种高功率场效应管，也被称为N沟道MOS管，在电子设备中扮演着很重要的角色，如在电力管理和调节、音频放大器、发光二极管控制和驱动等方面得到了广泛应用。